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低功耗控制器與高DC電壓接口連接解決方案
  發(fā)布時間:2011-8-9

    許多商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用都面臨一個難題,即如何通過接口將低壓微控制器及數(shù)字信號處理器 (DSP) 連接至高壓傳感器開關(guān)和其他數(shù)字、高壓電路。大多數(shù)情況下,需要通過這些接口獲取二進制(1/0,或者高/低)狀態(tài)信息形式的反饋。
    新一代的接口器件,被稱作數(shù)字輸入串行器 (DIS),其在連接低功耗微控制器的同時能夠以最高能效方式對數(shù)字輸入電壓進行檢測,檢測范圍最低可達6Vdc,最高可達300 Vdc。
 
     本文將介紹數(shù)字輸入串行器的工作原理及其低、中、高壓輸入信號的配置情況。


工作原理
 
      為了更好地理解DIS的工作原理,我們以完整的接口設(shè)計為背景來對這種器件進行研究(請參見圖 1)。一般而言,高壓總線為一組傳感器開關(guān)即 S0 – S7 供電,其開/關(guān)狀態(tài)由器件的八個現(xiàn)場輸入即IP0 – IP7來檢測。內(nèi)部信號處理將輸入信號轉(zhuǎn)換為低伏電平,并將其應(yīng)用于并行輸入、串行輸出移位寄存器的輸入。由于微控制器的負載脈沖作用于 /LD 輸入,因此內(nèi)部輸入數(shù)據(jù)被鎖閉到移位寄存器中。微控制器向 CLK 輸入施加一個時鐘信號,根據(jù)該信號以串行方式將數(shù)據(jù)從 DIS 中移位,然后通過數(shù)字隔離器進入一個控制器寄存器,這樣便完成了移位寄存器內(nèi)容的讀取。
 
    高壓接口要求使用數(shù)字隔離器,目的是將劇烈變化的遠距離傳感器開關(guān)接地電位,同控制器電子器件的局部接地電隔離。
 

圖1:數(shù)字輸入串行器的典型結(jié)構(gòu)
 
    適用于高伏接口的一些傳感器開關(guān)包括接近開關(guān)、繼電器觸點、限位開關(guān)、按鈕開關(guān)等等。就高輸入電壓而言,輸入電阻器RIN0到RIN7的實施對于將輸入開關(guān)閾值升至更高電平來說是必要的,而低輸入電壓的系統(tǒng)一般無需輸入電阻器。
 
    圖1表明高達34V的電源電壓可以直接作用于電源接線端和八個輸入端,無需保護電阻器。在使用這種電源電壓的情況下,內(nèi)部線性穩(wěn)壓器可以提供穩(wěn)定的 5V 輸出,以為器件內(nèi)部電路和外部隔離器或者微控制器供電。另一個輔助功能是片上溫度傳感器,其在結(jié)溫達到150℃時便向控制器發(fā)出報警。
 
     通過可調(diào)節(jié)輸入電流限制,讓在器件輸入端直接使用高達34V的高壓成為可能。就純電阻輸入的高壓接口而言,由于輸入電流增加帶來輸入電壓上升,從而導(dǎo)致其功耗急劇上升。與之相比,由于將輸入電流限制在某個恒定電平,而這一電平可以通過使用一個外部精密電阻器來進行調(diào)節(jié),因此DIS的輸入極大地降低了功耗。
 
    另外,每條通道都對其輸入信號進行強度和耐力檢查。這種電流、電壓檢測功能具有一些內(nèi)部信號閾值,用于確保通道不會被漏電流或者殘留電壓觸發(fā)。
 
    在導(dǎo)通狀態(tài)(開關(guān)關(guān)閉)的情況下,電流比較器檢測輸入電流是否高于預(yù)定義的漏電流閾值,而電壓比較器則檢測輸入電壓是否高于內(nèi)部設(shè)定的基準電壓。如果兩個比較器輸出均為邏輯高電平,則可編程去抖動濾波器檢查輸入狀態(tài)的新變化是否由噪聲瞬態(tài)或者真輸入信號所引起。
 
    導(dǎo)通狀態(tài)時,濾波器輸出為高電平,同時電流限制器輸出連接至信號返回輸出(Rex)。每個RE-輸出均有一個發(fā)光二極管(LED)連接接地層,從而實現(xiàn)傳感器開關(guān)狀態(tài)的可視化指示。因此,如果某個開關(guān)關(guān)閉,則 LED 亮起。在斷開狀態(tài)(開關(guān)打開)下,濾波器輸出為低電平,同時電流限制器的輸出接地,則 LED 不亮。


輸入配置
 
    針對某種應(yīng)用對數(shù)字輸入串行器進行配置時,只有兩個重要的參數(shù),即輸入電流限制IIN-LIM和導(dǎo)通閾值VIN-ON。這兩個參數(shù)均通過外部電阻器RLIM以及RIN0到RIN7來進行調(diào)節(jié)。盡管RLIM定義所有八條輸入通道的電流限制,但也可以通過使用不同的RIN值,來單獨設(shè)定每條通道的導(dǎo)通閾值。
 
    電流限制器內(nèi)部實現(xiàn)比較器功能,其閾值電流ITH與最大輸入電流IIN-LIM完全相同。利用一個反射系數(shù)為n = 72的電流鏡,通過基準電流IREF推導(dǎo)出ITH。由于 IIN-LIM與ITH相同,因此最大輸入電流可以表示為:
 
方程式1
 
IREF反過來又由內(nèi)部1.25V帶隙基準與外部電阻器RLIM的比計算得到:
 
 
方程式2
 
將方程式2插入到方程式1中,得到IIN-LIM為RLIM的函數(shù):
 
 
方程式3
 
求解方程式3得到RLIM,即設(shè)置理想電流限制所需的電阻器值:
 
方程式4
 
現(xiàn)場輸入導(dǎo)通閾值電壓VIN-ON,與電流限制、輸入電阻器以及器件輸入的導(dǎo)通閾值電壓VIP-ON有關(guān)。VIP-ON等于內(nèi)部電壓檢測比較器的固定 5.2V基準電壓。因此,VIP-ON可以表示為:
 
方程式5
 
插入VIP-ON的數(shù)值,然后代入方程式3的IIN-LIM計算結(jié)果,得到:
 
方程式6
 
然后求解RIN得到設(shè)置規(guī)定電流限制條件下理想導(dǎo)通閾值所要求的輸入電阻器值:
 
方程式7
 
    因此,針對各種應(yīng)用對DIS進行完全配置只需要兩個方程式,即方程式3用于設(shè)置電流限制,而方程式7用于達到理想導(dǎo)通閾值電壓。根據(jù)這兩個方程式,表1列出了不同輸入閾值電壓和電流限制的各種電阻器組合情況。


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